Травление п/п ИМС
НТУУ “КПИ” РТФ
Доклад
тема: “Травление п/п ИМС”
Выполнил:
студент 2-го курса
группы РТ-22
Кираль С. О.
Kиев 2004
Введение
Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография. Литография или микролитография, а сейчас может быть уместно, говорить о нанолитографии, предназначена для создания топологического рисунка на поверхности монокристаллической кремниевой пластины. Базовый литографический процесс представлен на рис. 1 и включает в себя, по крайней мере, 10 ступеней. Темой нашей лекции будут только два этапа, связанные с непосредственным переносом изображения маски на поверхность полупроводниковой структуры (ступени 8 и 9).
| 1. подготовка поверхности (промывка и сушка) |
| 2. нанесение резиста (тонкая пленка полимера наносится ценрифугированием) | |
| 3. сушка (удаление растворителя и перевод резиста в твердую растворимую фазу) | |
| 4. совмещение фотошаблона и экспонирование (положительный резист под действием света переходит в нерастворимую фазу) | |
| 5. проявление резиста (промывка в растворителе, удаляющем неэкспонированный резист) | |
| 6. стабилизирующий отжиг (удаление остатков растворителя) | |
| 7. контроль и исправление дефектов | |
| 8. травление (непосредственный перенос рисунка маски на поверхность полупроводниковой структуры) | |
| 9. удаление фоторезиста | |
| 10. финишный контроль | |
Рис. 1 10 ступеней литографического процесса | |
Подобные работы:
Актуально: