Получение арсенида галлия

Московский Государственный Открытый Университет.

Факультет: "Информатики и радиоэлектроники"

Курсовая работа на тему:

Получение Арсенида Галлия

Выполнил:

Михайлов Д. П

Шифр: 608859

Специальность: 200300

2009 г.


Содержание

Арсени́д га́ллия (GaAs)

Металлургические свойства GaAs

Выращивание кристаллов GaAs

Направленная кристаллизация

Зонная плавка

Метод Чохральского

Эпитаксиальные пленки арсенида галлия

Заключение

Используемая литература


Арсени́д га́ллия (GaAs)

Химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.

Некоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния. Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.

Полупроводниковые приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. Из-за более высокой напряженности электрического поля пробоя в GaAs по сравнению с Si приборы из арсенида галлия могут работать при большей мощности. Эти свойства делают GaAs широко используемым в полупроводниковых лазерах, некоторых радарных системах. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые, что обусловливает их использование в условиях радиационного излучения (например, в солнечных батареях, работающих в космосе).

По физическим характеристикам GaAs - более хрупкий и менее теплопроводный материал, чем кремний. Подложки из арсенида галлия гораздо сложнее для изготовления и примерно впятеро дороже, чем кремниевые, что ограничивает применение этого материала.

Общие свойства:

Общие.
НазваниеАрсени́д га́ллия
Химическая формулаGaAs
Внешний видТёмно-серые кубические кристаллы
Структура
Молекулярная масса144.64 ат. ед.
Постоянная решётки0.56533 нм
Кристаллическая структурацинковой обманки
Физические

Агрегатное состояние

при н. у.

твёрдое
Точка плавления при н. у.1513 K
Электронные
Ширина запрещённой зоны при 300 K1.424 эВ
Электроны, эффективная масса0.067 me

Лёгкие дырки,

эффективная масса

0.082 me

Тяжёлые дырки,

эффективная масса

0.45 me
Подвижность электронов при 300 K9200 см²/ (В·с)
Подвижность дырок при 300 K400 см²/ (В·с)
Актуально: