В интегральной схеме сформирован МОП-конденсатор с толщиной оксидного слоя 50 мм. Нужно определить площадь, которую этот конденсатор заним...

Постоянный пользователь нашего ресурса написал нам почту в 7:38 с просьбой предоставить развернутый ответ на его вопрос. Наши эксперты отнесли этот вопрос к разделу Разное. Для ответа был привлечен один из опытных специалистов, который занимается написанием студенческих работ.

Цитируем вопрос ваш вопрос

В интегральной схеме сформирован МОП-конденсатор с толщиной оксидного слоя 50 мм. Нужно определить площадь, которую этот конденсатор занимает на кристалле, если его ёмкость 200 пФ, а диалектрическая проницаемость оксида Е окс=3,5

Разбор вопроса и ответ на него

Раздел 'ЕГЭ (школьный)', к которому был отнесён этот вопрос является не простой рубрикой. Для подготовки ответа на вопросы из этой рубрики специалист должен обладать широкими познаниями в различных научных областях. Однако в нашей компании таковые имеются.

Вы спрашивали:

В интегральной схеме сформирован МОП-конденсатор с толщиной оксидного слоя 50 мм. Нужно определить площадь, которую этот конденсатор занимает на кристалле, если его ёмкость 200 пФ, а диалектрическая проницаемость оксида Е окс=3,5

Конечно этот ответ может полностью не раскрыть тему вопроса, но мы постарались сделать его максимально полным. Предлагаем ознакомиться с мнением эксперта по этой теме:

К нам на почту приходит много вопросов. Мы стараемся отвечать на все. Однако вы должны понимать, что большая загруженность увеличивает время ответа. Сейчас среднее время ответа равно 16:32.